BP0405SCG datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BP0405SCG  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.5(5.5) A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3(5.5) ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 80(72) pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.026(0.06) Ohm

Тип корпуса: SOP8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для BP0405SCG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BP0405SCG даташит

 ..1. Size:1442K  cn bps
 bp0405scg.pdf pdf_icon

BP0405SCG

BP0405SCG 40V Complementary MOSFET Description Features The BP0405SCG uses advanced trench technology to N-Channel provide excellent R and low gate charge. The DS(ON) V =40V, I =6A DS D complementary MOSFETs can be used in a wide R

Другие IGBT... BMS2302, BMSN3139, SI2301F, SI2309S, BL4N90, BLM3404, B50T040F, B50T070F, IRF640