BPM0306CG Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BPM0306CG  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.5(7) A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 2.5(5.5) nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 45(100) pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03(0.033) Ohm

Encapsulados: SOP8

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de BPM0306CG MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

BPM0306CG datasheet

 ..1. Size:1425K  cn bps
 bpm0306cg.pdf pdf_icon

BPM0306CG

BPM0306CG 30V Complementary MOSFET General Description Application The BPM0306CG uses advanced trench technology to H-bridge provide excellent R and low gate charge. The Inverters DS(ON) complementary MOSFETs can be used in a wide variety of applications. Features N-Channel V =30V, I =6.5A DS D R

Otros transistores... BMSN3139, SI2301F, SI2309S, BL4N90, BLM3404, B50T040F, B50T070F, BP0405SCG, IRF1404