BPM0306CG datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BPM0306CG  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.5(7) A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 2.5(5.5) ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 45(100) pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03(0.033) Ohm

Тип корпуса: SOP8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для BPM0306CG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BPM0306CG даташит

 ..1. Size:1425K  cn bps
 bpm0306cg.pdf pdf_icon

BPM0306CG

BPM0306CG 30V Complementary MOSFET General Description Application The BPM0306CG uses advanced trench technology to H-bridge provide excellent R and low gate charge. The Inverters DS(ON) complementary MOSFETs can be used in a wide variety of applications. Features N-Channel V =30V, I =6.5A DS D R

Другие IGBT... BMSN3139, SI2301F, SI2309S, BL4N90, BLM3404, B50T040F, B50T070F, BP0405SCG, IRF1404