BPMS04N003M Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BPMS04N003M  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 110 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 860 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0028 Ohm

Encapsulados: DFN5X6

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BPMS04N003M datasheet

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BPMS04N003M

BPMS04N003M Bright Power Semiconductor 40V N-Channel Power MOSFET General Description Application The BPMS04N003M uses super trench technology that is Synchronous Rectification for Power Supply uniquely optimized to provide the most efficient high DC/DC Converters frequency switching performance. Both conduction and High-frequency switching switching powe

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