BPMS04N003M datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BPMS04N003M  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 860 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0028 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для BPMS04N003M

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BPMS04N003M даташит

 ..1. Size:670K  cn bps
 bpms04n003m.pdf pdf_icon

BPMS04N003M

BPMS04N003M Bright Power Semiconductor 40V N-Channel Power MOSFET General Description Application The BPMS04N003M uses super trench technology that is Synchronous Rectification for Power Supply uniquely optimized to provide the most efficient high DC/DC Converters frequency switching performance. Both conduction and High-frequency switching switching powe

Другие IGBT... SI2309S, BL4N90, BLM3404, B50T040F, B50T070F, BP0405SCG, BPM0306CG, BPM0405CG, IRFB4110