MS34P07 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MS34P07 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.38 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.1 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 12.2 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 75 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
Encapsulados: SOT23
📄📄 Copiar
Búsqueda de reemplazo de MS34P07 MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
MS34P07 datasheet
ms34p07.pdf
MS34P07 P-Channel 30-V (D-S) MOSFET Description Graphic Symbol The MS34P07 is the highest performance trench P-ch MOSFETs with extreme high cell density, which provide excellent RDS(ON) and gate charge for use as a load switch or in PWM applications. The device meets the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approved. Features Package Dimension A
ms34p01.pdf
MS34P01 P-Channel 30-V (D-S) MOSFET Description Graphic Symbol The MS34P01 utilized advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance, extremely efficient and cost-effectiveness device. The device is universally preferred for all commercial-industrial surface mount applications and suited for low voltage applications such as DC/DC converters. The devi
Otros transistores... B50T070F, BP0405SCG, BPM0306CG, BPM0405CG, BPMS04N003M, MS23N06A, MS23P03, MS34P01, IRFB4227
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MSH100N045SA | MSD60P16 | MSD40P45 | MSB100N023 | MS60P03 | MS40P05AU | MS40P05 | MS40N05 | MS34P07 | MS34P01 | MS23P03 | MS23N06A | BPMS04N003M | BPM0405CG | BPM0306CG | BP0405SCG
Popular searches
2sc2240 | bc547 transistor equivalent | 2sa1943 | tip41c datasheet | mje15032 | tip32c datasheet | mje15032g | irf1404
