MS34P07 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MS34P07  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.38 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm

Тип корпуса: SOT23

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для MS34P07

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MS34P07 даташит

 ..1. Size:309K  bruckewell
 ms34p07.pdf pdf_icon

MS34P07

MS34P07 P-Channel 30-V (D-S) MOSFET Description Graphic Symbol The MS34P07 is the highest performance trench P-ch MOSFETs with extreme high cell density, which provide excellent RDS(ON) and gate charge for use as a load switch or in PWM applications. The device meets the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approved. Features Package Dimension A

 8.1. Size:329K  bruckewell
 ms34p01.pdf pdf_icon

MS34P07

MS34P01 P-Channel 30-V (D-S) MOSFET Description Graphic Symbol The MS34P01 utilized advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance, extremely efficient and cost-effectiveness device. The device is universally preferred for all commercial-industrial surface mount applications and suited for low voltage applications such as DC/DC converters. The devi

Другие IGBT... B50T070F, BP0405SCG, BPM0306CG, BPM0405CG, BPMS04N003M, MS23N06A, MS23P03, MS34P01, IRFB4227