MS60P03 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MS60P03  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 51 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.14 Ohm

Encapsulados: SOT23

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de MS60P03 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

MS60P03 datasheet

 ..1. Size:812K  bruckewell
 ms60p03.pdf pdf_icon

MS60P03

MS60P03 P-Channel 60-V (D-S) MOSFET Description Graphic Symbol The MS60P03 is the highest performance P-ch MOSFETs with super high dense cell design for low R and gate charge for high efficiency fast switching DS(ON) applications. The device meets the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approved. Features Package Dimension Low Reverse Transfer

 8.1. Size:134K  bruckewell
 ms60p02ne.pdf pdf_icon

MS60P03

Bruckewell Technology Corp., Ltd. MS60P02NE P-Channel 60V (D-S) MOSFET General Description These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC-DC converters and power management in portable and battery-powered products such as computers, pri

Otros transistores... BPMS04N003M, MS23N06A, MS23P03, MS34P01, MS34P07, MS40N05, MS40P05, MS40P05AU, IRFB4115