MS60P03 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MS60P03  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 51 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.14 Ohm

Тип корпуса: SOT23

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для MS60P03

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MS60P03 даташит

 ..1. Size:812K  bruckewell
 ms60p03.pdf pdf_icon

MS60P03

MS60P03 P-Channel 60-V (D-S) MOSFET Description Graphic Symbol The MS60P03 is the highest performance P-ch MOSFETs with super high dense cell design for low R and gate charge for high efficiency fast switching DS(ON) applications. The device meets the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approved. Features Package Dimension Low Reverse Transfer

 8.1. Size:134K  bruckewell
 ms60p02ne.pdf pdf_icon

MS60P03

Bruckewell Technology Corp., Ltd. MS60P02NE P-Channel 60V (D-S) MOSFET General Description These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC-DC converters and power management in portable and battery-powered products such as computers, pri

Другие IGBT... BPMS04N003M, MS23N06A, MS23P03, MS34P01, MS34P07, MS40N05, MS40P05, MS40P05AU, IRFB4115