MSH30P100 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MSH30P100  📄📄 

Código: 100P03

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 138 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VGSth|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.2 V

Qgⓘ - Carga de la puerta: 146 nC

trⓘ - Tiempo de subida: 61 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 983 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0033 Ohm

Encapsulados: PDFN5X6

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MSH30P100 datasheet

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MSH30P100

MSH30P100 P-Channel 30-V (D-S) MOSFET Description Graphic Symbol The device is using trench DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize RDS(ON), provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for high efficiency fast switching applications. The d

Otros transistores... MS40N05, MS40P05, MS40P05AU, MS60P03, MSB100N023, MSD40P45, MSD60P16, MSH100N045SA, IRF630