MSH30P100 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MSH30P100  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 138 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 61 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 983 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0033 Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для MSH30P100

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MSH30P100 даташит

 ..1. Size:323K  bruckewell
 msh30p100.pdf pdf_icon

MSH30P100

MSH30P100 P-Channel 30-V (D-S) MOSFET Description Graphic Symbol The device is using trench DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize RDS(ON), provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for high efficiency fast switching applications. The d

Другие IGBT... MS40N05, MS40P05, MS40P05AU, MS60P03, MSB100N023, MSD40P45, MSD60P16, MSH100N045SA, IRF630