MSH60N35D Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MSH60N35D  📄📄 

Código: 60N35D

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VGSth|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V

Qgⓘ - Carga de la puerta: 19.3 nC

trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 145 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm

Encapsulados: PDFN5X6D

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MSH60N35D datasheet

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MSH60N35D

MSH60N35D Dual N-Channel 60-V (D-S) MOSFET Description Graphic Symbol The device uses advanced Trench technology and designs to provide excellent R with low gate charge. DS(ON) This device is suitable for use in PWM, load switching and general purpose applications. The device meets the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reliability approv

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