MSH60N35D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MSH60N35D  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 145 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6D

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для MSH60N35D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MSH60N35D даташит

 ..1. Size:1320K  bruckewell
 msh60n35d.pdf pdf_icon

MSH60N35D

MSH60N35D Dual N-Channel 60-V (D-S) MOSFET Description Graphic Symbol The device uses advanced Trench technology and designs to provide excellent R with low gate charge. DS(ON) This device is suitable for use in PWM, load switching and general purpose applications. The device meets the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reliability approv

Другие IGBT... MS40P05AU, MS60P03, MSB100N023, MSD40P45, MSD60P16, MSH100N045SA, MSH30P100, MSH40N032, IRF4905