MSHM30N46 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MSHM30N46 📄📄
Código: 46N03
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 29 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 46 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VGSth|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
Qgⓘ - Carga de la puerta: 12.8 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 10.8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 163 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm
Encapsulados: PDFN3.3X3.3
📄📄 Copiar
Búsqueda de reemplazo de MSHM30N46 MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
MSHM30N46 datasheet
mshm30n46.pdf
MSHM30N46 N-Channel 30-V (D-S) MOSFET Description Graphic Symbol The device is the highest performance trench N-ch MOSFETs with extreme high cell density, which provide excellent R and gate charge for most of the DS(ON) synchronous buck converter applications. The device meets the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reliability approved
Otros transistores... MS60P03, MSB100N023, MSD40P45, MSD60P16, MSH100N045SA, MSH30P100, MSH40N032, MSH60N35D, 2N7000
History: MSHM40N085 | MSH30P100
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MSHM60P14 | MSHM40N085 | MSHM30N46 | MSH60N35D | MSH40N032 | MSH30P100 | MSH100N045SA | MSD60P16 | MSD40P45 | MSB100N023 | MS60P03 | MS40P05AU | MS40P05 | MS40N05 | MS34P07 | MS34P01
Popular searches
irf640n datasheet | irf540 datasheet | irf530 | 2n3565 | irf530n | pn2222a datasheet | tip41c transistor | 2n5087
