MSHM30N46 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MSHM30N46  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 29 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 46 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 163 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm

Тип корпуса: PDFN3.3X3.3

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для MSHM30N46

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MSHM30N46 даташит

 ..1. Size:1218K  bruckewell
 mshm30n46.pdf pdf_icon

MSHM30N46

MSHM30N46 N-Channel 30-V (D-S) MOSFET Description Graphic Symbol The device is the highest performance trench N-ch MOSFETs with extreme high cell density, which provide excellent R and gate charge for most of the DS(ON) synchronous buck converter applications. The device meets the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reliability approved

Другие IGBT... MS60P03, MSB100N023, MSD40P45, MSD60P16, MSH100N045SA, MSH30P100, MSH40N032, MSH60N35D, 2N7000