MSQ100N03D Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MSQ100N03D  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 27 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 38 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.152 Ohm

Encapsulados: SOP8

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de MSQ100N03D MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

MSQ100N03D datasheet

 ..1. Size:1030K  bruckewell
 msq100n03d.pdf pdf_icon

MSQ100N03D

MSQ100N03D Dual N-Channel 100-V (D-S) MOSFET Description Graphic Symbol The device is the highest performance trench N-ch MOSFETs with extreme high cell density, which provide excellent R and gate charge for most of the DS(ON) synchronous buck converter applications. The device meets the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reliability

Otros transistores... MSD60P16, MSH100N045SA, MSH30P100, MSH40N032, MSH60N35D, MSHM30N46, MSHM40N085, MSHM60P14, IRF9540N