MSQ100N03D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MSQ100N03D  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 38 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.152 Ohm

Тип корпуса: SOP8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для MSQ100N03D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MSQ100N03D даташит

 ..1. Size:1030K  bruckewell
 msq100n03d.pdf pdf_icon

MSQ100N03D

MSQ100N03D Dual N-Channel 100-V (D-S) MOSFET Description Graphic Symbol The device is the highest performance trench N-ch MOSFETs with extreme high cell density, which provide excellent R and gate charge for most of the DS(ON) synchronous buck converter applications. The device meets the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reliability

Другие IGBT... MSD60P16, MSH100N045SA, MSH30P100, MSH40N032, MSH60N35D, MSHM30N46, MSHM40N085, MSHM60P14, IRF9540N