MSQ60P04D Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MSQ60P04D  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 19.8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 97.3 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.07 Ohm

Encapsulados: SOP8

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MSQ60P04D datasheet

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MSQ60P04D

MSQ60P04D P-Channel 60-V (D-S) MOSFET Description Graphic Symbol The device is the highest performance trench P-ch MOSFETs with extreme high cell density, which provide excellent R and gate charge. It s well suited for high DS(ON) efficiency fast switching applications. The device meets RoHS and Green Product requirement. Features R

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