MSQ60P04D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MSQ60P04D  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 97.3 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm

Тип корпуса: SOP8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для MSQ60P04D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MSQ60P04D даташит

 ..1. Size:1259K  bruckewell
 msq60p04d.pdf pdf_icon

MSQ60P04D

MSQ60P04D P-Channel 60-V (D-S) MOSFET Description Graphic Symbol The device is the highest performance trench P-ch MOSFETs with extreme high cell density, which provide excellent R and gate charge. It s well suited for high DS(ON) efficiency fast switching applications. The device meets RoHS and Green Product requirement. Features R

Другие IGBT... MSHM30N46, MSHM40N085, MSHM60P14, MSQ100N03D, MSQ30P07D, MSQ30P15, MSQ30P40D, MSQ40P07D, 2SK3568