CS72N12 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CS72N12  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 95 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 118 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 59 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 502 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm

Encapsulados: TO220

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CS72N12 datasheet

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CS72N12

CS72N12 N-Channel Trench Power MOSFET General Description The CS72N12 is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Rugged EAS capability and ultra low R is suitable for PWM, load DS(ON) switching especially for E-Bike controller applications. Features VDS=95V; ID=118A@ VGS=10V; RDS(ON)

Otros transistores... MSQ30P07D, MSQ30P15, MSQ30P40D, MSQ40P07D, MSQ60P04D, CS40N27, CS48N75A, CS55N50, IRLB4132