CS72N12 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CS72N12  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 95 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 118 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 59 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 502 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm

Тип корпуса: TO220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для CS72N12

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS72N12 даташит

 ..1. Size:585K  cass
 cs72n12.pdf pdf_icon

CS72N12

CS72N12 N-Channel Trench Power MOSFET General Description The CS72N12 is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Rugged EAS capability and ultra low R is suitable for PWM, load DS(ON) switching especially for E-Bike controller applications. Features VDS=95V; ID=118A@ VGS=10V; RDS(ON)

Другие IGBT... MSQ30P07D, MSQ30P15, MSQ30P40D, MSQ40P07D, MSQ60P04D, CS40N27, CS48N75A, CS55N50, IRLB4132