BC1012W Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BC1012W  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.28 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 6 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.63 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7.4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 9.68 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm

Encapsulados: SOT323

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BC1012W datasheet

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BC1012W

Plastic-Encapsulate MOSFETS N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features Low On-Resistance Low Gate Threshold Voltage Low Input Capacitance Fast Switching Speed Low Input/Output Leakage Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 2) ESD Protected up to 2kV Drain Gate Gate Protection Source Diode EQUIVALENT CIRCUIT Maximum Ratings @T = 25 C unless otherwi

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BC1012W

Plastic-Encapsulate MOSFETS N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features Low On-Resistance Low Gate Threshold Voltage Low Input Capacitance Fast Switching Speed Low Input/Output Leakage Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 2) ESD Protected up to 2kV Marking Code NA1 Maximum Ratings @T = 25 C unless otherwise specified A Characteristic Symbol Valu

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BC1012W

Plastic-Encapsulate MOSFETS N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET SOT 523 Features Low On-Resistance Low Gate Threshold Voltage Low Input Capacitance Fast Switching Speed Low Input/Output Leakage Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 2) ESD Protected up to 2kV 1. GATE 2. SOURCE 3. DRAIN Drain Marking Code NA1 Gate Gate Protection So

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