BC1012W datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BC1012W  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.28 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 6 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.63 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 9.68 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm

Тип корпуса: SOT323

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для BC1012W

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BC1012W даташит

 ..1. Size:2006K  cn cbi
 bc1012w.pdf pdf_icon

BC1012W

Plastic-Encapsulate MOSFETS N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features Low On-Resistance Low Gate Threshold Voltage Low Input Capacitance Fast Switching Speed Low Input/Output Leakage Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 2) ESD Protected up to 2kV Drain Gate Gate Protection Source Diode EQUIVALENT CIRCUIT Maximum Ratings @T = 25 C unless otherwi

 8.1. Size:1907K  cn cbi
 bc1012.pdf pdf_icon

BC1012W

Plastic-Encapsulate MOSFETS N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features Low On-Resistance Low Gate Threshold Voltage Low Input Capacitance Fast Switching Speed Low Input/Output Leakage Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 2) ESD Protected up to 2kV Marking Code NA1 Maximum Ratings @T = 25 C unless otherwise specified A Characteristic Symbol Valu

 8.2. Size:1576K  cn cbi
 bc1012t.pdf pdf_icon

BC1012W

Plastic-Encapsulate MOSFETS N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET SOT 523 Features Low On-Resistance Low Gate Threshold Voltage Low Input Capacitance Fast Switching Speed Low Input/Output Leakage Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 2) ESD Protected up to 2kV 1. GATE 2. SOURCE 3. DRAIN Drain Marking Code NA1 Gate Gate Protection So

Другие IGBT... CS75N45, CS85105A, CS95118, 2SK3018WT, 2SK3019W, 2SK3019WT, BC1012, BC1012T, 12N60