CB2301DW Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CB2301DW  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 75 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.12 Ohm

Encapsulados: SOT363

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CB2301DW datasheet

 ..1. Size:1783K  cn cbi
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CB2301DW

SOT-36 3 Plastic-Encapsulate MOSFETS CB230 1D Dual P-CHANNEL MOSFET SOT-363 FEATURE 6 5 TrenchFET Power MOSFET 4 1 2 APPLICATIONS 3 z Load Switch for Portable Devices z DC/DC Converter Equivalent Circuit MARKING 1DW 6 5 4 D2 G1 S1 S2 G2 D1 1 2 3 Maximum ratings (Ta=25 unless otherwise noted) Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage VDS -20 V Ga

 9.1. Size:1125K  huashuo
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CB2301DW

HSCB2307 P-Ch 20V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSCB2307 is the high cell density trenched P- VDS -20 V ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck RDS(ON),typ 15 m converter applications. ID -8 A The HSCB2307 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approved.

Otros transistores... BC1012T, BC1012W, BC2301, BC3400, BC3401, BC3407, BC3415, BC8205, 5N60