CB2301DW datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CB2301DW  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm

Тип корпуса: SOT363

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для CB2301DW

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CB2301DW даташит

 ..1. Size:1783K  cn cbi
 cb2301dw.pdf pdf_icon

CB2301DW

SOT-36 3 Plastic-Encapsulate MOSFETS CB230 1D Dual P-CHANNEL MOSFET SOT-363 FEATURE 6 5 TrenchFET Power MOSFET 4 1 2 APPLICATIONS 3 z Load Switch for Portable Devices z DC/DC Converter Equivalent Circuit MARKING 1DW 6 5 4 D2 G1 S1 S2 G2 D1 1 2 3 Maximum ratings (Ta=25 unless otherwise noted) Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage VDS -20 V Ga

 9.1. Size:1125K  huashuo
 hscb2307.pdf pdf_icon

CB2301DW

HSCB2307 P-Ch 20V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSCB2307 is the high cell density trenched P- VDS -20 V ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck RDS(ON),typ 15 m converter applications. ID -8 A The HSCB2307 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approved.

Другие IGBT... BC1012T, BC1012W, BC2301, BC3400, BC3401, BC3407, BC3415, BC8205, 5N60