CB3139KTB Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CB3139KTB  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.66 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5.8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 15 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.95 Ohm

Encapsulados: SOT523

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CB3139KTB datasheet

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CB3139KTB

Plastic-Encapsulate MOSFETS P-Channel MOSFET I V(BR)DSS RDS(on)MAX D SOT-523 m @-4.5V 950 -20V -0.66A m 1150 @-2.5V 3300m @-1.8V 1. GATE 2. SOURCE 3. DRAIN FEATURE APPLICATION Lead Free Product is Acquired Load/Power Switching Surface Mount Package Interfacing, Logic Switching P-Channel Switch with Low R (on) DS Battery Management for Ultra Smal

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