CB3139KTB datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CB3139KTB  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.66 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 15 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.95 Ohm

Тип корпуса: SOT523

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для CB3139KTB

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CB3139KTB даташит

 ..1. Size:1584K  cn cbi
 cb3139ktb.pdf pdf_icon

CB3139KTB

Plastic-Encapsulate MOSFETS P-Channel MOSFET I V(BR)DSS RDS(on)MAX D SOT-523 m @-4.5V 950 -20V -0.66A m 1150 @-2.5V 3300m @-1.8V 1. GATE 2. SOURCE 3. DRAIN FEATURE APPLICATION Lead Free Product is Acquired Load/Power Switching Surface Mount Package Interfacing, Logic Switching P-Channel Switch with Low R (on) DS Battery Management for Ultra Smal

Другие IGBT... BC1012W, BC2301, BC3400, BC3401, BC3407, BC3415, BC8205, CB2301DW, CS150N04A8