CEC2533 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CEC2533 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 25 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 44 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 285 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
Encapsulados: DFN3X3
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CEC2533 datasheet
cec2533.pdf
CEC2533 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES D 25V, 44A, RDS(ON) = 8 mW @VGS = 10V. RDS(ON) = 13 mW @VGS = 4.5V. Super High dense cell design for extremely low RDS(ON). G High power and current handing capability. RoHS compliant. S D D D D G S S S DFN3*3 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C unless otherwise noted Parameter Symbol Limit Units Drain-Sour
Otros transistores... BC2301T-2.8A, BC2301W, BC2302-2.8A, BC2302T-2.8A, BC2302W, BC3134K, BC3134KT, CEB100N10L, 4N60
Parámetros del MOSFET. Cómo se afectan entre sí.
History: CEC3257
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