CEC2533 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CEC2533  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 25 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 44 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 285 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm

Тип корпуса: DFN3X3

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для CEC2533

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEC2533 даташит

 ..1. Size:765K  cet
 cec2533.pdf pdf_icon

CEC2533

CEC2533 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES D 25V, 44A, RDS(ON) = 8 mW @VGS = 10V. RDS(ON) = 13 mW @VGS = 4.5V. Super High dense cell design for extremely low RDS(ON). G High power and current handing capability. RoHS compliant. S D D D D G S S S DFN3*3 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C unless otherwise noted Parameter Symbol Limit Units Drain-Sour

Другие IGBT... BC2301T-2.8A, BC2301W, BC2302-2.8A, BC2302T-2.8A, BC2302W, BC3134K, BC3134KT, CEB100N10L, 4N60