CEC3257 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CEC3257 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 12.5 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 185 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm
Encapsulados: DFN3X3
📄📄 Copiar
Búsqueda de reemplazo de CEC3257 MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
CEC3257 datasheet
cec3257.pdf
CEC3257 Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES D -30V, -17A, RDS(ON) = 25mW @VGS = -10V. RDS(ON) = 32mW @VGS = -4.5V. Super High dense cell design for extremely low RDS(ON). G High power and current handing capability. RoHS compliant. S D2 D2 D1 D1 G2 S2 G1 S1 DFN3*3 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise noted Parameter Symbol Limit
Otros transistores... BC2301W, BC2302-2.8A, BC2302T-2.8A, BC2302W, BC3134K, BC3134KT, CEB100N10L, CEC2533, STP65NF06
Parámetros del MOSFET. Cómo se afectan entre sí.
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: CEM3139 | CEM3133 | CEM3115 | CED3133 | CEC3257 | CEC2533 | CEB100N10L | BC3134KT | BC3134K | BC2302W | BC2302T-2.8A | BC2302-2.8A | BC2301W | BC2301T-2.8A | CB3139KTB | CB2301DW
Popular searches
2n3771 | s9018 | 2n3904 equivalent | ksa1220 | s9015 | mje3055t datasheet | a733 | irf9630