CEC3257 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CEC3257  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 12.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 185 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm

Тип корпуса: DFN3X3

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для CEC3257

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEC3257 даташит

 ..1. Size:512K  cet
 cec3257.pdf pdf_icon

CEC3257

CEC3257 Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES D -30V, -17A, RDS(ON) = 25mW @VGS = -10V. RDS(ON) = 32mW @VGS = -4.5V. Super High dense cell design for extremely low RDS(ON). G High power and current handing capability. RoHS compliant. S D2 D2 D1 D1 G2 S2 G1 S1 DFN3*3 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise noted Parameter Symbol Limit

Другие IGBT... BC2301W, BC2302-2.8A, BC2302T-2.8A, BC2302W, BC3134K, BC3134KT, CEB100N10L, CEC2533, STP65NF06