CEZ2R05 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CEZ2R05  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 25 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 73 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 285 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.007 Ohm

Encapsulados: PAK5X6

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CEZ2R05 datasheet

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CEZ2R05

CEZ2R05 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 25V, 73A, RDS(ON) = 7m W @VGS = 10V. D D D D RDS(ON) = 11mW @VGS = 4.5V. 8 7 6 5 Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. RoHS compliant. Surface mount Package. 1 2 3 4 S S S G P-PAK 5X6 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise noted Parameter

Otros transistores... CEM3115, CEM3133, CEM3139, CEM3425, CEP100N10L, CES2312A, CES2361, CEU3133, 60N06