CEZ2R05 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CEZ2R05  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 25 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 73 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 285 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm

Тип корпуса: PAK5X6

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для CEZ2R05

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEZ2R05 даташит

 ..1. Size:556K  cet
 cez2r05.pdf pdf_icon

CEZ2R05

CEZ2R05 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 25V, 73A, RDS(ON) = 7m W @VGS = 10V. D D D D RDS(ON) = 11mW @VGS = 4.5V. 8 7 6 5 Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. RoHS compliant. Surface mount Package. 1 2 3 4 S S S G P-PAK 5X6 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise noted Parameter

Другие IGBT... CEM3115, CEM3133, CEM3139, CEM3425, CEP100N10L, CES2312A, CES2361, CEU3133, 60N06