CEZC2P07 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CEZC2P07  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 490 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0095 Ohm

Encapsulados: PAK3X3

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CEZC2P07 datasheet

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CEZC2P07

CEZC2P07 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES D -20V, -40A, RDS(ON) = 9.5mW @VGS = -4.5V. RDS(ON) = 13mW @VGS = -2.5V. RDS(ON) = 20mW @VGS = -1.8V. G Super High dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. RoHS compliant. S P-PAK 3X3 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise noted Parameter

Otros transistores... CEM3133, CEM3139, CEM3425, CEP100N10L, CES2312A, CES2361, CEU3133, CEZ2R05, IRFZ46N