CEZC2P07 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CEZC2P07  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 490 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0095 Ohm

Тип корпуса: PAK3X3

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для CEZC2P07

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEZC2P07 даташит

 ..1. Size:969K  cet
 cezc2p07.pdf pdf_icon

CEZC2P07

CEZC2P07 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES D -20V, -40A, RDS(ON) = 9.5mW @VGS = -4.5V. RDS(ON) = 13mW @VGS = -2.5V. RDS(ON) = 20mW @VGS = -1.8V. G Super High dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. RoHS compliant. S P-PAK 3X3 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise noted Parameter

Другие IGBT... CEM3133, CEM3139, CEM3425, CEP100N10L, CES2312A, CES2361, CEU3133, CEZ2R05, IRFZ46N