ZXM66P02N8 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ZXM66P02N8

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 1.56 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 20 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 12 V

Corriente continua de drenaje (Id): 8 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Carga de compuerta (Qg): 43.3 nC

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 2068 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.025 Ohm

Empaquetado / Estuche: SO8

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ZXM66P02N8 Datasheet (PDF)

1.1. zxm66p02n8tc.pdf Size:610K _upd-mosfet

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1.2. zxm66p02n8ta.pdf Size:610K _upd-mosfet

1.3. zxm66p02n8.pdf Size:610K _diodes

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