ZXMC10A816N8 Todos los transistores

 

ZXMC10A816N8 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ZXMC10A816N8

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.1 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm

Encapsulados: SO8

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ZXMC10A816N8 datasheet

 ..1. Size:183K  diodes
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ZXMC10A816N8

A Product Line of Diodes Incorporated ZXMC10A816N8 100V SO8 Complementary Dual enhancement mode MOSFET Summary ID (A) Device V(BR)DSS (V) QG (nC) RDS(on) ( ) TA= 25 C 0.230 @ VGS= 10V 2.1 Q1 100 9.2 0.300 @ VGS= 4.5V 1.9 0.235 @ VGS= -10V -2.2 Q2 -100 16.5 0.320 @ VGS= -4.5V -1.9 Description This new generation complementary dual MOSFE

Otros transistores... ZXMC3A18DN8 , ZXMC3AMC , ZXMC3F31DN8 , ZXMD63C03X , BSS8402DW , DMC4028SSD , DMC4040SSD , DMC4050SSD , IRLB4132 , ZXMC4559DN8 , ZXMC4A16DN8 , ZXMC6A09DN8 , DMS2120LFWB , DMS2220LFDB , DMS2220LFW , 2SK311 , 2SK3107C .

History: ZVP4525Z | SWF13N80K | ZXMHC3A01N8 | BM2300

 

 

 

 

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