ZXMC10A816N8 Todos los transistores

 

ZXMC10A816N8 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ZXMC10A816N8
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.1 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 9.2 nC
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8
 

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ZXMC10A816N8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:183K  diodes
 zxmc10a816n8.pdf pdf_icon

ZXMC10A816N8

A Product Line ofDiodes IncorporatedZXMC10A816N8 100V SO8 Complementary Dual enhancement mode MOSFET Summary ID (A) Device V(BR)DSS (V) QG (nC) RDS(on) () TA= 25C 0.230 @ VGS= 10V 2.1 Q1 100 9.2 0.300 @ VGS= 4.5V 1.9 0.235 @ VGS= -10V -2.2 Q2 -100 16.5 0.320 @ VGS= -4.5V -1.9 Description This new generation complementary dual MOSFE

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