ZXMC10A816N8 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: ZXMC10A816N8
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.4 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2.1 A
Общий заряд затвора (Qg): 9.2 nC
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.3 Ohm
Тип корпуса: SO8
Аналог (замена) для ZXMC10A816N8
ZXMC10A816N8 Datasheet (PDF)
..1. Size:183K diodes
zxmc10a816n8.pdf
zxmc10a816n8.pdf
A Product Line ofDiodes IncorporatedZXMC10A816N8 100V SO8 Complementary Dual enhancement mode MOSFET Summary ID (A) Device V(BR)DSS (V) QG (nC) RDS(on) () TA= 25C 0.230 @ VGS= 10V 2.1 Q1 100 9.2 0.300 @ VGS= 4.5V 1.9 0.235 @ VGS= -10V -2.2 Q2 -100 16.5 0.320 @ VGS= -4.5V -1.9 Description This new generation complementary dual MOSFE
Другие MOSFET... ZXMC3A18DN8 , ZXMC3AMC , ZXMC3F31DN8 , ZXMD63C03X , BSS8402DW , DMC4028SSD , DMC4040SSD , DMC4050SSD , CS150N03A8 , ZXMC4559DN8 , ZXMC4A16DN8 , ZXMC6A09DN8 , DMS2120LFWB , DMS2220LFDB , DMS2220LFW , 2SK311 , 2SK3107C .
