Справочник MOSFET. ZXMC10A816N8

 

ZXMC10A816N8 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ZXMC10A816N8
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.1 A
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для ZXMC10A816N8

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ZXMC10A816N8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:183K  diodes
 zxmc10a816n8.pdf pdf_icon

ZXMC10A816N8

A Product Line ofDiodes IncorporatedZXMC10A816N8 100V SO8 Complementary Dual enhancement mode MOSFET Summary ID (A) Device V(BR)DSS (V) QG (nC) RDS(on) () TA= 25C 0.230 @ VGS= 10V 2.1 Q1 100 9.2 0.300 @ VGS= 4.5V 1.9 0.235 @ VGS= -10V -2.2 Q2 -100 16.5 0.320 @ VGS= -4.5V -1.9 Description This new generation complementary dual MOSFE

Другие MOSFET... ZXMC3A18DN8 , ZXMC3AMC , ZXMC3F31DN8 , ZXMD63C03X , BSS8402DW , DMC4028SSD , DMC4040SSD , DMC4050SSD , 5N60 , ZXMC4559DN8 , ZXMC4A16DN8 , ZXMC6A09DN8 , DMS2120LFWB , DMS2220LFDB , DMS2220LFW , 2SK311 , 2SK3107C .

 

 
Back to Top

 


 
.