ZXMC10A816N8 - описание и поиск аналогов

 

ZXMC10A816N8. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ZXMC10A816N8

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.1 A

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для ZXMC10A816N8

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ZXMC10A816N8 даташит

 ..1. Size:183K  diodes
 zxmc10a816n8.pdf pdf_icon

ZXMC10A816N8

A Product Line of Diodes Incorporated ZXMC10A816N8 100V SO8 Complementary Dual enhancement mode MOSFET Summary ID (A) Device V(BR)DSS (V) QG (nC) RDS(on) ( ) TA= 25 C 0.230 @ VGS= 10V 2.1 Q1 100 9.2 0.300 @ VGS= 4.5V 1.9 0.235 @ VGS= -10V -2.2 Q2 -100 16.5 0.320 @ VGS= -4.5V -1.9 Description This new generation complementary dual MOSFE

Другие MOSFET... ZXMC3A18DN8 , ZXMC3AMC , ZXMC3F31DN8 , ZXMD63C03X , BSS8402DW , DMC4028SSD , DMC4040SSD , DMC4050SSD , IRLB4132 , ZXMC4559DN8 , ZXMC4A16DN8 , ZXMC6A09DN8 , DMS2120LFWB , DMS2220LFDB , DMS2220LFW , 2SK311 , 2SK3107C .

History: 2SK1365 | SI2356DS | TMD3N50Z | 4N60KG-TMS2-T | CM2N60 | DMS2120LFWB | SLP65R380E7C

 

 

 

 

↑ Back to Top
.