ZXMC4A16DN8 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: ZXMC4A16DN8
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.2 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.075 Ohm
Paquete / Cubierta: SO8

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ZXMC4A16DN8 Datasheet (PDF)

..1. Size:187K diodes
zxmc4a16dn8.pdf

ZXMC4A16DN8COMPLEMENTARY 40V ENHANCEMENT MODE MOSFETSUMMARYN-Channel = V(BR)DSS= 40V : RDS(on)= 0.05 ; ID= 5.2AP-Channel = V(BR)DSS= -40V : RDS(on)= 0.06 ; ID= -4.7ADESCRIPTIONThis new generation of trench MOSFETs from Zetexutilises a unique structure that combines the benefitsof low on-resistance with fast switching speed. Thismakes them ideal for high efficiency, low voltage

9.1. Size:286K diodes
zxmc4559dn8.pdf

ZXMC4559DN8COMPLEMENTARY 60V ENHANCEMENT MODE MOSFETSUMMARYN-Channel V(BR)DSS = 60V; RDS(ON) = 0.055 ; ID= 4.7AP-Channel V(BR)DSS = -60V; RDS(ON) = 0.105 ; ID= -3.9ADESCRIPTIONThis new generation of TRENCH MOSFETs from Zetex utilizes a uniquestructure that combines the benefits of low on-resistance with fast switchingspeed. This makes them ideal for high efficiency, low voltage,

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Liste

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