ZXMC4A16DN8 Todos los transistores

 

ZXMC4A16DN8 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ZXMC4A16DN8
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.2 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 17 nC
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.075 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8
 

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ZXMC4A16DN8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:187K  diodes
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ZXMC4A16DN8

ZXMC4A16DN8COMPLEMENTARY 40V ENHANCEMENT MODE MOSFETSUMMARYN-Channel = V(BR)DSS= 40V : RDS(on)= 0.05 ; ID= 5.2AP-Channel = V(BR)DSS= -40V : RDS(on)= 0.06 ; ID= -4.7ADESCRIPTIONThis new generation of trench MOSFETs from Zetexutilises a unique structure that combines the benefitsof low on-resistance with fast switching speed. Thismakes them ideal for high efficiency, low voltage

 9.1. Size:286K  diodes
 zxmc4559dn8.pdf pdf_icon

ZXMC4A16DN8

ZXMC4559DN8COMPLEMENTARY 60V ENHANCEMENT MODE MOSFETSUMMARYN-Channel V(BR)DSS = 60V; RDS(ON) = 0.055 ; ID= 4.7AP-Channel V(BR)DSS = -60V; RDS(ON) = 0.105 ; ID= -3.9ADESCRIPTIONThis new generation of TRENCH MOSFETs from Zetex utilizes a uniquestructure that combines the benefits of low on-resistance with fast switchingspeed. This makes them ideal for high efficiency, low voltage,

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History: IRFR2307ZPBF

 

 
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