ZXMC4A16DN8 Todos los transistores

 

ZXMC4A16DN8 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ZXMC4A16DN8

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.2 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.075 Ohm

Encapsulados: SO8

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ZXMC4A16DN8 datasheet

 ..1. Size:187K  diodes
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ZXMC4A16DN8

ZXMC4A16DN8 COMPLEMENTARY 40V ENHANCEMENT MODE MOSFET SUMMARY N-Channel = V(BR)DSS= 40V RDS(on)= 0.05 ; ID= 5.2A P-Channel = V(BR)DSS= -40V RDS(on)= 0.06 ; ID= -4.7A DESCRIPTION This new generation of trench MOSFETs from Zetex utilises a unique structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This makes them ideal for high efficiency, low voltage

 9.1. Size:286K  diodes
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ZXMC4A16DN8

ZXMC4559DN8 COMPLEMENTARY 60V ENHANCEMENT MODE MOSFET SUMMARY N-Channel V(BR)DSS = 60V; RDS(ON) = 0.055 ; ID= 4.7A P-Channel V(BR)DSS = -60V; RDS(ON) = 0.105 ; ID= -3.9A DESCRIPTION This new generation of TRENCH MOSFETs from Zetex utilizes a unique structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This makes them ideal for high efficiency, low voltage,

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