ZXMC4A16DN8 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: ZXMC4A16DN8  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.2 A

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm

Тип корпуса: SO8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для ZXMC4A16DN8

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ZXMC4A16DN8 даташит

 ..1. Size:187K  diodes
 zxmc4a16dn8.pdf pdf_icon

ZXMC4A16DN8

ZXMC4A16DN8 COMPLEMENTARY 40V ENHANCEMENT MODE MOSFET SUMMARY N-Channel = V(BR)DSS= 40V RDS(on)= 0.05 ; ID= 5.2A P-Channel = V(BR)DSS= -40V RDS(on)= 0.06 ; ID= -4.7A DESCRIPTION This new generation of trench MOSFETs from Zetex utilises a unique structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This makes them ideal for high efficiency, low voltage

 9.1. Size:286K  diodes
 zxmc4559dn8.pdf pdf_icon

ZXMC4A16DN8

ZXMC4559DN8 COMPLEMENTARY 60V ENHANCEMENT MODE MOSFET SUMMARY N-Channel V(BR)DSS = 60V; RDS(ON) = 0.055 ; ID= 4.7A P-Channel V(BR)DSS = -60V; RDS(ON) = 0.105 ; ID= -3.9A DESCRIPTION This new generation of TRENCH MOSFETs from Zetex utilizes a unique structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This makes them ideal for high efficiency, low voltage,

Другие IGBT... ZXMC3F31DN8, ZXMD63C03X, BSS8402DW, DMC4028SSD, DMC4040SSD, DMC4050SSD, ZXMC10A816N8, ZXMC4559DN8, 2SK3568, ZXMC6A09DN8, DMS2120LFWB, DMS2220LFDB, DMS2220LFW, 2SK311, 2SK3107C, 2SK3112, 2SK3114B