ZXMC6A09DN8 Todos los transistores

 

ZXMC6A09DN8 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ZXMC6A09DN8

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.1 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.07 Ohm

Encapsulados: SO8

 Búsqueda de reemplazo de ZXMC6A09DN8 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

ZXMC6A09DN8 datasheet

 ..1. Size:297K  diodes
 zxmc6a09dn8.pdf pdf_icon

ZXMC6A09DN8

ZXMC6A09DN8 COMPLEMENTARY 60V ENHANCEMENT MODE MOSFET SUMMARY N-Channel V(BR)DSS = 60V; RDS(ON) = 0.045 ; ID= 5.1A P-Channel V(BR)DSS = -60V; RDS(ON) = 0.055 ; ID= -4.8A DESCRIPTION This new generation of trench MOSFETs from Zetex utilizes a unique structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This makes them ideal for high efficiency, low voltage,

 0.1. Size:911K  cn vbsemi
 zxmc6a09dn8t.pdf pdf_icon

ZXMC6A09DN8

ZXMC6A09DN8T www.VBsemi.tw N- and P-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Available 0.028 at VGS = 10 V 5.3 TrenchFET Power MOSFET N-Channel 60 6 nC 0.031 at VGS = 4.5 V 4.7 100 % Rg and UIS Tested 0.050 at VGS = - 10 V - 4.9 APPLICATIONS P-Channel - 60 8 nC 0.060 at

Otros transistores... ZXMD63C03X , BSS8402DW , DMC4028SSD , DMC4040SSD , DMC4050SSD , ZXMC10A816N8 , ZXMC4559DN8 , ZXMC4A16DN8 , IRFP260 , DMS2120LFWB , DMS2220LFDB , DMS2220LFW , 2SK311 , 2SK3107C , 2SK3112 , 2SK3114B , BSP75G .

History: 4N65KL-T2Q-R

 

 

 

 

↑ Back to Top
.