ZXMC6A09DN8 Todos los transistores

 

ZXMC6A09DN8 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ZXMC6A09DN8
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.1 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 12.4 nC
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.07 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8
     - Selección de transistores por parámetros

 

ZXMC6A09DN8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:297K  diodes
 zxmc6a09dn8.pdf pdf_icon

ZXMC6A09DN8

ZXMC6A09DN8COMPLEMENTARY 60V ENHANCEMENT MODE MOSFETSUMMARYN-Channel V(BR)DSS = 60V; RDS(ON) = 0.045 ; ID= 5.1AP-Channel V(BR)DSS = -60V; RDS(ON) = 0.055 ; ID= -4.8ADESCRIPTIONThis new generation of trench MOSFETs from Zetex utilizes a unique structurethat combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. Thismakes them ideal for high efficiency, low voltage,

 0.1. Size:911K  cn vbsemi
 zxmc6a09dn8t.pdf pdf_icon

ZXMC6A09DN8

ZXMC6A09DN8Twww.VBsemi.twN- and P-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.028 at VGS = 10 V 5.3 TrenchFET Power MOSFETN-Channel 60 6 nC0.031 at VGS = 4.5 V 4.7 100 % Rg and UIS Tested0.050 at VGS = - 10 V - 4.9APPLICATIONSP-Channel - 60 8 nC0.060 at

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