ZXMC6A09DN8 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: ZXMC6A09DN8
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.1 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5.1 A
Общий заряд затвора (Qg): 12.4 nC
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.07 Ohm
Тип корпуса: SO8
Аналог (замена) для ZXMC6A09DN8
ZXMC6A09DN8 Datasheet (PDF)
zxmc6a09dn8.pdf
ZXMC6A09DN8COMPLEMENTARY 60V ENHANCEMENT MODE MOSFETSUMMARYN-Channel V(BR)DSS = 60V; RDS(ON) = 0.045 ; ID= 5.1AP-Channel V(BR)DSS = -60V; RDS(ON) = 0.055 ; ID= -4.8ADESCRIPTIONThis new generation of trench MOSFETs from Zetex utilizes a unique structurethat combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. Thismakes them ideal for high efficiency, low voltage,
zxmc6a09dn8t.pdf
ZXMC6A09DN8Twww.VBsemi.twN- and P-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.028 at VGS = 10 V 5.3 TrenchFET Power MOSFETN-Channel 60 6 nC0.031 at VGS = 4.5 V 4.7 100 % Rg and UIS Tested0.050 at VGS = - 10 V - 4.9APPLICATIONSP-Channel - 60 8 nC0.060 at
Другие MOSFET... ZXMD63C03X , BSS8402DW , DMC4028SSD , DMC4040SSD , DMC4050SSD , ZXMC10A816N8 , ZXMC4559DN8 , ZXMC4A16DN8 , STP80NF70 , DMS2120LFWB , DMS2220LFDB , DMS2220LFW , 2SK311 , 2SK3107C , 2SK3112 , 2SK3114B , BSP75G .
