ZXMC6A09DN8 - описание и поиск аналогов

 

ZXMC6A09DN8. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ZXMC6A09DN8

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.1 A

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для ZXMC6A09DN8

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ZXMC6A09DN8 даташит

 ..1. Size:297K  diodes
 zxmc6a09dn8.pdf pdf_icon

ZXMC6A09DN8

ZXMC6A09DN8 COMPLEMENTARY 60V ENHANCEMENT MODE MOSFET SUMMARY N-Channel V(BR)DSS = 60V; RDS(ON) = 0.045 ; ID= 5.1A P-Channel V(BR)DSS = -60V; RDS(ON) = 0.055 ; ID= -4.8A DESCRIPTION This new generation of trench MOSFETs from Zetex utilizes a unique structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This makes them ideal for high efficiency, low voltage,

 0.1. Size:911K  cn vbsemi
 zxmc6a09dn8t.pdf pdf_icon

ZXMC6A09DN8

ZXMC6A09DN8T www.VBsemi.tw N- and P-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Available 0.028 at VGS = 10 V 5.3 TrenchFET Power MOSFET N-Channel 60 6 nC 0.031 at VGS = 4.5 V 4.7 100 % Rg and UIS Tested 0.050 at VGS = - 10 V - 4.9 APPLICATIONS P-Channel - 60 8 nC 0.060 at

Другие MOSFET... ZXMD63C03X , BSS8402DW , DMC4028SSD , DMC4040SSD , DMC4050SSD , ZXMC10A816N8 , ZXMC4559DN8 , ZXMC4A16DN8 , IRFP260 , DMS2120LFWB , DMS2220LFDB , DMS2220LFW , 2SK311 , 2SK3107C , 2SK3112 , 2SK3114B , BSP75G .

History: TN0106 | FDMS3604AS | FDMS5352

 

 

 

 

↑ Back to Top
.