ZXMHN6A07T8 Todos los transistores

 

ZXMHN6A07T8 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ZXMHN6A07T8
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.8 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 166 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.45 Ohm
   Paquete / Cubierta: SM8
 

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ZXMHN6A07T8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:180K  diodes
 zxmhn6a07t8.pdf pdf_icon

ZXMHN6A07T8

ZXMHN6A07T860V N-CHANNEL MOSFET H-BRIDGESUMMARYV(BR)DSS= 60V : RDS(on)= 0.3 ; ID= 1.6ADESCRIPTIONThis new generation of trench MOSFETs from Zetexutilizes a unique structure that combines the benefits oflow on-resistance with fast switching speed. Thismakes them ideal for high efficiency, low voltage,power management applications.SM8FEATURES Compact package Low on

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History: FQD3P50 | FS70UM-2 | 2SK147 | 2N7272H4 | FQD5N60C | FQD4P25 | IPW65R190E6

 

 
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