ZXMHN6A07T8 Todos los transistores

 

ZXMHN6A07T8 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ZXMHN6A07T8

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.7 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.8 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 166 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.45 Ohm

Encapsulados: SM8

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ZXMHN6A07T8 datasheet

 ..1. Size:180K  diodes
 zxmhn6a07t8.pdf pdf_icon

ZXMHN6A07T8

ZXMHN6A07T8 60V N-CHANNEL MOSFET H-BRIDGE SUMMARY V(BR)DSS= 60V RDS(on)= 0.3 ; ID= 1.6A DESCRIPTION This new generation of trench MOSFETs from Zetex utilizes a unique structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This makes them ideal for high efficiency, low voltage, power management applications. SM8 FEATURES Compact package Low on

Otros transistores... ZXMS6006SG , ZXMHC10A07N8 , ZXMHC10A07T8 , ZXMHC3A01N8 , ZXMHC3A01T8 , ZXMHC3F381N8 , ZXMHC6A07N8 , ZXMHC6A07T8 , 18N50 , 2SK3115B , STU437S , STU435S , 2SJ652 , 2SJ656 , 2SK2394 , 2SK3557 , 2SK3666 .

History: 5LN01SP | IRFE9210

 

 

 


 
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