ZXMHN6A07T8 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: ZXMHN6A07T8
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 1.7 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 1.8 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
   Carga de la puerta (Qg): 3.2 nC
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 166 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.45 Ohm
   Paquete / Cubierta: SM8

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ZXMHN6A07T8 Datasheet (PDF)

..1. Size:180K diodes
zxmhn6a07t8.pdf

ZXMHN6A07T860V N-CHANNEL MOSFET H-BRIDGESUMMARYV(BR)DSS= 60V : RDS(on)= 0.3 ; ID= 1.6ADESCRIPTIONThis new generation of trench MOSFETs from Zetexutilizes a unique structure that combines the benefits oflow on-resistance with fast switching speed. Thismakes them ideal for high efficiency, low voltage,power management applications.SM8FEATURES Compact package Low on

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