Справочник MOSFET. ZXMHN6A07T8

 

ZXMHN6A07T8 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ZXMHN6A07T8
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.8 A
   Cossⓘ - Выходная емкость: 166 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.45 Ohm
   Тип корпуса: SM8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

ZXMHN6A07T8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:180K  diodes
 zxmhn6a07t8.pdf pdf_icon

ZXMHN6A07T8

ZXMHN6A07T860V N-CHANNEL MOSFET H-BRIDGESUMMARYV(BR)DSS= 60V : RDS(on)= 0.3 ; ID= 1.6ADESCRIPTIONThis new generation of trench MOSFETs from Zetexutilizes a unique structure that combines the benefits oflow on-resistance with fast switching speed. Thismakes them ideal for high efficiency, low voltage,power management applications.SM8FEATURES Compact package Low on

Другие MOSFET... ZXMS6006SG , ZXMHC10A07N8 , ZXMHC10A07T8 , ZXMHC3A01N8 , ZXMHC3A01T8 , ZXMHC3F381N8 , ZXMHC6A07N8 , ZXMHC6A07T8 , AON6380 , 2SK3115B , STU437S , STU435S , 2SJ652 , 2SJ656 , 2SK2394 , 2SK3557 , 2SK3666 .

History: NTTS2P02R2 | BSC032N03SG | APT18F60B | BF964S | TK100A08N1 | IRF6714M | QS5U13

 

 
Back to Top

 


 
.