ZXMHN6A07T8 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: ZXMHN6A07T8
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.7 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 1.8 A
Общий заряд затвора (Qg): 3.2 nC
Выходная емкость (Cd): 166 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.45 Ohm
Тип корпуса: SM8
Аналог (замена) для ZXMHN6A07T8
ZXMHN6A07T8 Datasheet (PDF)
..1. Size:180K diodes
zxmhn6a07t8.pdf
zxmhn6a07t8.pdf
ZXMHN6A07T860V N-CHANNEL MOSFET H-BRIDGESUMMARYV(BR)DSS= 60V : RDS(on)= 0.3 ; ID= 1.6ADESCRIPTIONThis new generation of trench MOSFETs from Zetexutilizes a unique structure that combines the benefits oflow on-resistance with fast switching speed. Thismakes them ideal for high efficiency, low voltage,power management applications.SM8FEATURES Compact package Low on
Другие MOSFET... ZXMS6006SG , ZXMHC10A07N8 , ZXMHC10A07T8 , ZXMHC3A01N8 , ZXMHC3A01T8 , ZXMHC3F381N8 , ZXMHC6A07N8 , ZXMHC6A07T8 , AO3401 , 2SK3115B , STU437S , STU435S , 2SJ652 , 2SJ656 , 2SK2394 , 2SK3557 , 2SK3666 .
