Справочник MOSFET. ZXMHN6A07T8

 

ZXMHN6A07T8 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ZXMHN6A07T8
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.8 A
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 3.2 nC
   Cossⓘ - Выходная емкость: 166 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.45 Ohm
   Тип корпуса: SM8
 

 Аналог (замена) для ZXMHN6A07T8

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ZXMHN6A07T8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:180K  diodes
 zxmhn6a07t8.pdf pdf_icon

ZXMHN6A07T8

ZXMHN6A07T860V N-CHANNEL MOSFET H-BRIDGESUMMARYV(BR)DSS= 60V : RDS(on)= 0.3 ; ID= 1.6ADESCRIPTIONThis new generation of trench MOSFETs from Zetexutilizes a unique structure that combines the benefits oflow on-resistance with fast switching speed. Thismakes them ideal for high efficiency, low voltage,power management applications.SM8FEATURES Compact package Low on

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRF530 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: SVSP24NF60FJDD2 | ZVN2110ASTZ | 2N6763 | PHD2N60E | FDA69N25

 

 
Back to Top

 


 
.