2SK876 Todos los transistores

 

2SK876 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SK876
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 450 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.7 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET 2SK876

 

Principales características: 2SK876

 ..1. Size:3454K  1
 2sk876.pdf pdf_icon

2SK876

 9.1. Size:3231K  1
 2sk875.pdf pdf_icon

2SK876

 9.2. Size:576K  toshiba
 2sk879.pdf pdf_icon

2SK876

2SK879 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel Junction Type 2SK879 General Purpose and Impedance Converter and Condenser Microphone Applications Unit mm High breakdown voltage VGDS = -50 V High input impedance IGSS = -1.0 nA (max) (VGS = -30 V) Low noise NF = 0.5dB (typ.) (RG = 100 k , f = 120 Hz) Small package Absolute Maximum Ratings (Ta =

 9.3. Size:1661K  nec
 2sk873.pdf pdf_icon

2SK876

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... 2SK724 , 2SK738 , 2SK739 , 2SK799 , 2SK801 , 2SK802 , 2SK814 , 2SK875 , CS150N03A8 , 2SK897 , 2SK897-MR , 2SK899 , 2SK900 , 2SK901 , 2SK902 , 2SK903 , 2SK904 .

History: SML80L27 | SST80R850S2

 

 
Back to Top

 


 
.