2SK876 Todos los transistores

 

2SK876 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SK876

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 120 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 500 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 12 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 2000 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.7 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO247

Búsqueda de reemplazo de MOSFET 2SK876

 

2SK876 Datasheet (PDF)

5.1. 2sk871.pdf Size:1651K _update

2SK876
2SK876



5.2. 2sk870.pdf Size:148K _update

2SK876
2SK876

查询"2SK870"供应商 查询"2SK870"供应商

 5.3. 2sk874.pdf Size:3392K _update

2SK876
2SK876



5.4. 2sk873.pdf Size:1661K _update

2SK876
2SK876



 5.5. 2sk872.pdf Size:3390K _update

2SK876
2SK876



5.6. 2sk879.pdf Size:576K _toshiba

2SK876
2SK876

2SK879 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel Junction Type 2SK879 General Purpose and Impedance Converter and Condenser Microphone Applications Unit: mm • High breakdown voltage: VGDS = -50 V • High input impedance: IGSS = -1.0 nA (max) (VGS = -30 V) • Low noise: NF = 0.5dB (typ.) (RG = 100 k?, f = 120 Hz) • Small package Absolute Maximum Ratings (Ta = 25

Otros transistores... 2SK724 , 2SK738 , 2SK739 , 2SK799 , 2SK801 , 2SK802 , 2SK814 , 2SK875 , IRF5305 , 2SK897 , 2SK897-MR , 2SK899 , 2SK900 , 2SK901 , 2SK902 , 2SK903 , 2SK904 .

 

 
Back to Top

 


2SK876
  2SK876
  2SK876
 

social 

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: UPA2700GR | UPA2680T1E | UPA2672T1R | UPA2670T1R | UPA2650T1E | UPA2593T1H | UPA2592T1H | UPA2591T1H | UPA2590T1H | UPA2562T1H | UPA2561T1H | UPA2560T1H | UPA2560 | UPA2550T1H | UPA2550 |

 

 

 
Back to Top