Справочник MOSFET. 2SK876

 

2SK876 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2SK876
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 450 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.7 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для 2SK876

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK876 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:3454K  1
 2sk876.pdf pdf_icon

2SK876

 9.1. Size:3231K  1
 2sk875.pdf pdf_icon

2SK876

 9.2. Size:576K  toshiba
 2sk879.pdf pdf_icon

2SK876

2SK879 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel Junction Type 2SK879 General Purpose and Impedance Converter and Condenser Microphone Applications Unit: mm High breakdown voltage: VGDS = -50 V High input impedance: IGSS = -1.0 nA (max) (VGS = -30 V) Low noise: NF = 0.5dB (typ.) (RG = 100 k, f = 120 Hz) Small package Absolute Maximum Ratings (Ta =

 9.3. Size:1661K  nec
 2sk873.pdf pdf_icon

2SK876

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... 2SK724 , 2SK738 , 2SK739 , 2SK799 , 2SK801 , 2SK802 , 2SK814 , 2SK875 , IRLB4132 , 2SK897 , 2SK897-MR , 2SK899 , 2SK900 , 2SK901 , 2SK902 , 2SK903 , 2SK904 .

History: NCE70N600 | PHD23NQ10T | GSM9910 | IRFP90N20DPBF | FQA14N30 | BRCS3404MA

 

 
Back to Top

 


 
.