2SK876 - описание и поиск аналогов

 

2SK876. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SK876

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 450 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.7 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для 2SK876

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK876 даташит

 ..1. Size:3454K  1
 2sk876.pdf pdf_icon

2SK876

 9.1. Size:3231K  1
 2sk875.pdf pdf_icon

2SK876

 9.2. Size:576K  toshiba
 2sk879.pdf pdf_icon

2SK876

2SK879 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel Junction Type 2SK879 General Purpose and Impedance Converter and Condenser Microphone Applications Unit mm High breakdown voltage VGDS = -50 V High input impedance IGSS = -1.0 nA (max) (VGS = -30 V) Low noise NF = 0.5dB (typ.) (RG = 100 k , f = 120 Hz) Small package Absolute Maximum Ratings (Ta =

 9.3. Size:1661K  nec
 2sk873.pdf pdf_icon

2SK876

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... 2SK724 , 2SK738 , 2SK739 , 2SK799 , 2SK801 , 2SK802 , 2SK814 , 2SK875 , CS150N03A8 , 2SK897 , 2SK897-MR , 2SK899 , 2SK900 , 2SK901 , 2SK902 , 2SK903 , 2SK904 .

History: 2SK643 | 3SK169Q | 2SJ619 | 3SK59 | 3SK142Q

 

 

 

 

↑ Back to Top
.