ATP112 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ATP112
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 40 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 60 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Corriente continua de drenaje (Id): 25 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Carga de compuerta (Qg): 33.5 nC
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.033 Ohm
Empaquetado / Estuche: ATPAK
Búsqueda de reemplazo de MOSFET ATP112
ATP112 Datasheet (PDF)
1.1. atp112.pdf 
Size:358K _sanyo
ATP112 Ordering number : ENA1754 SANYO Semiconductors DATA SHEET P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device ATP112 Applications Features ON-resistance RDS(on)1=33m (typ.) Input Capacitance Ciss=1450pF(typ.) ? 4V drive Halogen free compliance Specifications at Ta=25C Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Volta
5.1. atp114.pdf Size:358K _sanyo
ATP114 Ordering number : ENA1711 SANYO Semiconductors DATA SHEET P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device ATP114 Applications Features ON-resistance RDS(on)1=12m (typ.) Input Capacitance Ciss=4000pF(typ.) ? 4V drive Halogen free compliance Specifications at Ta=25C Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Volta
5.2. atp113.pdf Size:358K _sanyo
ATP113 Ordering number : ENA1755 SANYO Semiconductors DATA SHEET P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device ATP113 Applications Features ON-resistance RDS(on)1=22.5m (typ.) Input Capacitance Ciss=2400pF(typ.) ? 4V drive Halogen free compliance Specifications at Ta=25C Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Vol
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