ATP112 Todos los transistores

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ATP112 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ATP112

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 40 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 60 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 25 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.033 Ohm

Empaquetado / Estuche: ATPAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET ATP112

 

ATP112 Datasheet (PDF)

1.1. atp112.pdf Size:358K _sanyo

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ATP112 Ordering number : ENA1754 SANYO Semiconductors DATA SHEET P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device ATP112 Applications Features ON-resistance RDS(on)1=33m (typ.) Input Capacitance Ciss=1450pF(typ.) ? 4V drive Halogen free compliance Specifications at Ta=25C Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Volta

5.1. atp114.pdf Size:358K _sanyo

ATP112
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ATP114 Ordering number : ENA1711 SANYO Semiconductors DATA SHEET P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device ATP114 Applications Features ON-resistance RDS(on)1=12m (typ.) Input Capacitance Ciss=4000pF(typ.) ? 4V drive Halogen free compliance Specifications at Ta=25C Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Volta

5.2. atp113.pdf Size:358K _sanyo

ATP112
ATP112

ATP113 Ordering number : ENA1755 SANYO Semiconductors DATA SHEET P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device ATP113 Applications Features ON-resistance RDS(on)1=22.5m (typ.) Input Capacitance Ciss=2400pF(typ.) ? 4V drive Halogen free compliance Specifications at Ta=25C Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Vol

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