ATP112 Todos los transistores

 

ATP112 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ATP112
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 80 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 155 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.043 Ohm
   Paquete / Cubierta: ATPAK
 

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ATP112 PDF Specs

 ..1. Size:358K  sanyo
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ATP112

ATP112 Ordering number ENA1754 SANYO Semiconductors DATA SHEET P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device ATP112 Applications Features ON-resistance RDS(on)1=33m (typ.) Input Capacitance Ciss=1450pF(typ.) 4V drive Halogen free compliance Specifications at Ta=25 C Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to... See More ⇒

 9.1. Size:358K  sanyo
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ATP112

ATP113 Ordering number ENA1755 SANYO Semiconductors DATA SHEET P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device ATP113 Applications Features ON-resistance RDS(on)1=22.5m (typ.) Input Capacitance Ciss=2400pF(typ.) 4V drive Halogen free compliance Specifications at Ta=25 C Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-... See More ⇒

 9.2. Size:358K  sanyo
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ATP112

ATP114 Ordering number ENA1711 SANYO Semiconductors DATA SHEET P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device ATP114 Applications Features ON-resistance RDS(on)1=12m (typ.) Input Capacitance Ciss=4000pF(typ.) 4V drive Halogen free compliance Specifications at Ta=25 C Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to... See More ⇒

 9.3. Size:376K  onsemi
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ATP112

Ordering number ENA1711A ATP114 P-Channel Power MOSFET http //onsemi.com 60V, 55A, 16m , Single ATPAK Features ON-resistance RDS(on)1=12m (typ.) Input Capacitance Ciss=4000pF(typ.) 4V drive Halogen free compliance Protection diode in Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25 C Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Sourc... See More ⇒

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