Справочник MOSFET. ATP112

 

ATP112 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ATP112
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 155 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.043 Ohm
   Тип корпуса: ATPAK
 

 Аналог (замена) для ATP112

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ATP112 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:358K  sanyo
 atp112.pdf pdf_icon

ATP112

ATP112Ordering number : ENA1754SANYO SemiconductorsDATA SHEETP-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceATP112ApplicationsFeatures ON-resistance RDS(on)1=33m (typ.) Input Capacitance Ciss=1450pF(typ.) 4V drive Halogen free complianceSpecifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to

 9.1. Size:358K  sanyo
 atp113.pdf pdf_icon

ATP112

ATP113Ordering number : ENA1755SANYO SemiconductorsDATA SHEETP-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceATP113ApplicationsFeatures ON-resistance RDS(on)1=22.5m (typ.) Input Capacitance Ciss=2400pF(typ.) 4V drive Halogen free complianceSpecifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-

 9.2. Size:358K  sanyo
 atp114.pdf pdf_icon

ATP112

ATP114Ordering number : ENA1711SANYO SemiconductorsDATA SHEETP-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceATP114ApplicationsFeatures ON-resistance RDS(on)1=12m (typ.) Input Capacitance Ciss=4000pF(typ.) 4V drive Halogen free complianceSpecifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to

 9.3. Size:376K  onsemi
 atp114.pdf pdf_icon

ATP112

Ordering number : ENA1711AATP114P-Channel Power MOSFEThttp://onsemi.com 60V, 55A, 16m , Single ATPAKFeatures ON-resistance RDS(on)1=12m (typ.) Input Capacitance Ciss=4000pF(typ.) 4V drive Halogen free compliance Protection diode inSpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Sourc

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... 5LP01M , ATP101 , ATP102 , ATP103 , ATP104 , ATP106 , ATP107 , ATP108 , K3569 , ATP113 , ATP114 , ATP201 , ATP202 , ATP203 , ATP204 , ATP206 , ATP207 .

History: MTP15N15 | QM1830M3

 

 
Back to Top

 


 
.