ATP113 Todos los transistores

 

ATP113 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ATP113

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 125 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 250 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0295 Ohm

Encapsulados: ATPAK

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ATP113 datasheet

 ..1. Size:358K  sanyo
atp113.pdf pdf_icon

ATP113

ATP113 Ordering number ENA1755 SANYO Semiconductors DATA SHEET P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device ATP113 Applications Features ON-resistance RDS(on)1=22.5m (typ.) Input Capacitance Ciss=2400pF(typ.) 4V drive Halogen free compliance Specifications at Ta=25 C Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-

 9.1. Size:358K  sanyo
atp112.pdf pdf_icon

ATP113

ATP112 Ordering number ENA1754 SANYO Semiconductors DATA SHEET P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device ATP112 Applications Features ON-resistance RDS(on)1=33m (typ.) Input Capacitance Ciss=1450pF(typ.) 4V drive Halogen free compliance Specifications at Ta=25 C Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to

 9.2. Size:358K  sanyo
atp114.pdf pdf_icon

ATP113

ATP114 Ordering number ENA1711 SANYO Semiconductors DATA SHEET P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device ATP114 Applications Features ON-resistance RDS(on)1=12m (typ.) Input Capacitance Ciss=4000pF(typ.) 4V drive Halogen free compliance Specifications at Ta=25 C Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to

 9.3. Size:376K  onsemi
atp114.pdf pdf_icon

ATP113

Ordering number ENA1711A ATP114 P-Channel Power MOSFET http //onsemi.com 60V, 55A, 16m , Single ATPAK Features ON-resistance RDS(on)1=12m (typ.) Input Capacitance Ciss=4000pF(typ.) 4V drive Halogen free compliance Protection diode in Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25 C Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Sourc

Otros transistores... ATP101 , ATP102 , ATP103 , ATP104 , ATP106 , ATP107 , ATP108 , ATP112 , AON7408 , ATP114 , ATP201 , ATP202 , ATP203 , ATP204 , ATP206 , ATP207 , ATP208 .

 

 

 


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