ATP113 Todos los transistores

 

ATP113 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ATP113
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 125 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 250 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0295 Ohm
   Paquete / Cubierta: ATPAK
     - Selección de transistores por parámetros

 

ATP113 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:358K  sanyo
 atp113.pdf pdf_icon

ATP113

ATP113Ordering number : ENA1755SANYO SemiconductorsDATA SHEETP-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceATP113ApplicationsFeatures ON-resistance RDS(on)1=22.5m (typ.) Input Capacitance Ciss=2400pF(typ.) 4V drive Halogen free complianceSpecifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-

 9.1. Size:358K  sanyo
 atp112.pdf pdf_icon

ATP113

ATP112Ordering number : ENA1754SANYO SemiconductorsDATA SHEETP-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceATP112ApplicationsFeatures ON-resistance RDS(on)1=33m (typ.) Input Capacitance Ciss=1450pF(typ.) 4V drive Halogen free complianceSpecifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to

 9.2. Size:358K  sanyo
 atp114.pdf pdf_icon

ATP113

ATP114Ordering number : ENA1711SANYO SemiconductorsDATA SHEETP-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceATP114ApplicationsFeatures ON-resistance RDS(on)1=12m (typ.) Input Capacitance Ciss=4000pF(typ.) 4V drive Halogen free complianceSpecifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to

 9.3. Size:376K  onsemi
 atp114.pdf pdf_icon

ATP113

Ordering number : ENA1711AATP114P-Channel Power MOSFEThttp://onsemi.com 60V, 55A, 16m , Single ATPAKFeatures ON-resistance RDS(on)1=12m (typ.) Input Capacitance Ciss=4000pF(typ.) 4V drive Halogen free compliance Protection diode inSpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Sourc

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... ATP101 , ATP102 , ATP103 , ATP104 , ATP106 , ATP107 , ATP108 , ATP112 , IRFP260 , ATP114 , ATP201 , ATP202 , ATP203 , ATP204 , ATP206 , ATP207 , ATP208 .

History: DMC4040SSD | 2SK3510-ZJ | DMN4010LFG | VS3612GP | HY4306W | IRLU8721 | AP65SL145AFI

 

 
Back to Top

 


 
.