Справочник MOSFET. ATP113

 

ATP113 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ATP113
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 125 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0295 Ohm
   Тип корпуса: ATPAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

ATP113 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:358K  sanyo
 atp113.pdf pdf_icon

ATP113

ATP113Ordering number : ENA1755SANYO SemiconductorsDATA SHEETP-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceATP113ApplicationsFeatures ON-resistance RDS(on)1=22.5m (typ.) Input Capacitance Ciss=2400pF(typ.) 4V drive Halogen free complianceSpecifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-

 9.1. Size:358K  sanyo
 atp112.pdf pdf_icon

ATP113

ATP112Ordering number : ENA1754SANYO SemiconductorsDATA SHEETP-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceATP112ApplicationsFeatures ON-resistance RDS(on)1=33m (typ.) Input Capacitance Ciss=1450pF(typ.) 4V drive Halogen free complianceSpecifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to

 9.2. Size:358K  sanyo
 atp114.pdf pdf_icon

ATP113

ATP114Ordering number : ENA1711SANYO SemiconductorsDATA SHEETP-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceATP114ApplicationsFeatures ON-resistance RDS(on)1=12m (typ.) Input Capacitance Ciss=4000pF(typ.) 4V drive Halogen free complianceSpecifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to

 9.3. Size:376K  onsemi
 atp114.pdf pdf_icon

ATP113

Ordering number : ENA1711AATP114P-Channel Power MOSFEThttp://onsemi.com 60V, 55A, 16m , Single ATPAKFeatures ON-resistance RDS(on)1=12m (typ.) Input Capacitance Ciss=4000pF(typ.) 4V drive Halogen free compliance Protection diode inSpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Sourc

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... ATP101 , ATP102 , ATP103 , ATP104 , ATP106 , ATP107 , ATP108 , ATP112 , IRFP260 , ATP114 , ATP201 , ATP202 , ATP203 , ATP204 , ATP206 , ATP207 , ATP208 .

History: SFP12N65 | AP60SL115AI | AP85T08GS-HF | SM7370ESKP | WVM3.9N100 | IRFL1006PBF | NCE70T540F

 

 
Back to Top

 


 
.